一、基本信息

• 化学名称：2 - 甲基 -α-[2-[(丙基磺酰基) 氧] 亚氨基]-3 (2H)- 噻吩基] 苯乙腈
• 外观：淡黄色粉末
• 类型：非离子型光产酸剂（PAG）
• 敏感波长：i-line（365nm）、h-line（405nm）、g-line（436nm）
• 产酸类型：丙基磺酸（强酸）

二、核心用途

1. 半导体 / 显示光刻胶（最主要用途）

• 正性光刻胶：光照产酸 → 酸催化树脂脱保护 → 曝光区溶于显影液
• 负性光刻胶：光照产酸 → 酸催化交联 → 曝光区不溶
• 应用场景：
  • 半导体芯片：晶圆制造、线路蚀刻
  • 显示面板：TFT-LCD、OLED 阵列光刻
  • 半导体封装：光敏聚酰亚胺（PSPI）

2. 光固化与立体光刻（3D 打印）

• 阳离子光固化：产酸引发环氧、乙烯基醚聚合
• 自由基 - 阳离子混杂固化：同时产酸与自由基，提升固化效率
• 3D 打印（SLA）：高精度光敏树脂成型

3. 印刷版材与数码印刷

• CTP（计算机直接制版）：紫外感光树脂版
• 热敏 / 紫激光版材：高灵敏度成像层
• UV 喷墨油墨：高固含、低粘度配方

4. 其他精密材料

• 光刻胶剥离液、蚀刻液添加剂
• 电子材料涂层：光敏绝缘膜、保护膜
• 有机合成：光控酸催化反应

三、性能优势

• 高感度：365–436nm 响应，量子产率高
• 非离子型：无金属离子、无卤，不腐蚀电路
• 热稳定好：分解温度 > 150℃，适配光刻后烘（PEB）
• 酸扩散适中：分辨率高、线边缘粗糙度低（LER）
• 溶解性优：易溶于 PGMEA、环己酮等光刻胶溶剂